Photoresist

Pho|to|re|sịst [engl. resist = Abdeckmittel, Überzug], das; -s, -s; Syn.: Photolack, Photopolymer (2): bei der Herst. von Druckplatten oder elektronischen Bausteinen benutztes Beschichtungsmittel, das bei Einwirkung insbes. von UV-Strahlung polymerisiert bzw. durch Vernetzung härtet (negatives P.) oder durch Photolyse löslich wird (positives P.).

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Photoresist

 

[-rɪzɪst, zu englisch resist »Schicht«] das oder der, -s/-s, Fotoresist, Photolack, Fotolack, Beschichtung aus organischen Vielstoffsystemen, in der bei Belichtung (z. B. mit UV-Strahlung) chemische Reaktionen ablaufen, die zu einer Veränderung der Löslichkeit führen. Dadurch können Photoresists beim »Entwickeln« mit geeigneten Lösungsmitteln entweder an den belichteten (Positivverfahren) oder unbelichteten (Negativverfahren) Stellen selektiv entfernt werden. Photoresists haben für die Erzeugung von Mikrostrukturen auf Silicium- oder Metalloberflächen z. B. bei elektronischen Bausteinen, Offsetdruckplatten oder in der Mikrosystemtechnik große Bedeutung. Photoresists für Positivverfahren enthalten z. B. o-Naphthochinondiazid, das bei Belichtung unter Stickstoffabspaltung in Indensäure übergeht, die sich mit wässrigen alkalischen Lösungen auswaschen lässt:

 

Photoresists für Negativverfahren enthalten z. B. Acrylsäurederivate oder andere Monomere, die bei Belichtung polymerisieren und vernetzen, somit in Lösungsmitteln (z. B. 1,1,1-Trichloräthan) unlöslich werden.